SiC模块革IGBT模块命，基本半导体SiC模块替代Infineon英飞凌IGBT模块，基本半导体SiC模块替代三菱IPM模块，基本半导体SiC模块替代Semikron赛米控IGBT模块，基本半导体SiC模块替代赛米控丹佛斯功率模块，基本半导体SiC模块替代Fuji富士IGBT模块！
使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅电力电子系统！-倾佳电子（Changer Tech）专业分销
使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT变流器，实现更高的变流效率，更小的变流体积重量！更低的变流成本！
随着铜价暴涨高烧不退，如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点，使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块，可以显著提频降低系统综合成本（电感磁性元件，散热系统，整机重量），电力电子系统的全碳SiC时代，未来已来！倾佳电子（Changer Tech）专业分销国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET！
基本半导体的SiC碳化硅功率器件战略能够满足所有关键因素的要求：BASiCSEMI基本半导体多样化的晶圆和采购网络（BASiCSEMI基本半导体自有晶圆厂及与代工厂相结合，BASiCSEMI基本半导体自有封装厂与代工相结合）、BASiCSEMI基本半导体一流的平面栅器件B3M及更新的沟槽器件（研发中）、BASiCSEMI基本半导体最全面的功率模块封装和电力电子建模、卓越的系统理解、与最广泛的汽车、BASiCSEMI基本半导体工业和可再生能源客户的合作，以及未来可根据实际市场需求进行扩展的最佳成本弹性生产足迹，正是这些独特的因素，使BASiCSEMI基本半导体碳化硅功率器件业务在未来的发展中不断取得成功。
倾佳电子（Changer Tech）致力于国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™国产碳化硅（SiC）MOSFET在电力电子应用中全面取代IGBT，全力推动国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™国产碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
倾佳电子（Changer Tech）专业分销国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™2000V系列SiC碳化硅MOSFET-国产替代英飞凌IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H，IMYH200R050M1H，IMYH200R024M1H，IMYH200R012M1H，DF4-19MR20W3M1HF_B11，FF4MR20KM1HP，FF3MR20KM1H，FF5MR20KM1HP，FF5MR20KM1H，FF4MR20KM1H，FF3MR20KM1HP。
基本半导体™SiC碳化硅MOSFET功率模块兼容替代Infineon英飞凌IGBT模块：FF900R12ME7W_B11，FF900R17ME7W_B11，FF450R12KT4，FF600R12ME4_B72，FF750R12ME7_B11，FF900R12ME7P_B11，IFF600B12ME4_B11，FF600R12KE4
基本半导体™SiC碳化硅MOSFET功率模块兼容替代赛米控丹佛斯SiC模块：SK40MD120CR03ETE1，SK40MB120CR03TE1，SKKE60S12，SK80MB120CR03TE1，SK150MB120CR03TE2，SK200MB120CR03TE2，SKM125KD12SC，SK250MB120CR03TE2V1，SK250MB120CR03TE2，SKM350MB120SCH15，SKM350MB120SCH17，SKM500MB120SC，SKM260MB170SCH17
基本半导体™SiC碳化硅MOSFET功率模块兼容替代FUJI富士IGBT模块：2MBI600XHA120-50，2MBI450XHA120-50，2MBI450XNA120-50，2MBI600XNG120-50，2MBI800XNE120-50，2MBI1000XRNE120-50，2MBI450XNA170-50，2MBI600XNG170-50，2MBI800XRNE170-50，2CSI300DAHE120-50，2CSI450DAHE120-50，2CSI600DAHE120-50，2CSI200DAHE170-50，2CSI300DAHE170-50，2CSI400DAHE170-50
倾佳电子（Changer Tech）致力于国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™国产碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在电力电子市场的推广！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™2000V系列SiC碳化硅MOSFET适用于1500V光储系统，1500V系统大组串SiC光伏逆变器，1500V系统储能变流器PCS，1500V系统固态断路器，固态变压器等。
大组串IGBT光伏逆变器MPPT传统上使用飞跨电容IGBT方案，控制复杂，频率低，采用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™2000V系列SiC碳化硅MOSFET进行两电平改造，控制简单可靠，频率提升，电感成本降低，MPPT部分提升效率，降低成本。
IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗，从而提高开关频率。进一步的，可以优化滤波器组件，相应的损耗会下降，从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率模块，与同样封装的Si IGBT模块相比，功率损耗可以降低约70%左右，可以将开关频率提5倍（实现显著的滤波器优化），同时保持最高结温低于最大规定值。
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC单管替代正在加速替代IFX英飞凌ON安森美ST意法FUJI富士IGBT单管!
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未来随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。
为此，BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优越性能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。
为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求，BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET，产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点。
针对新能源汽车的应用需求，BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™研发推出符合AEC-Q101认证和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要应用在车载充电机及汽车空调压缩机驱动中。
B3M040120Z是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™基于第三代碳化硅MOSFET技术平台开发的最新产品，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相对于上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性方面有更进一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™基于PcoreTM2 E2B封装的1200V 5.5mΩ工业级全碳化硅半桥功率模块，产品采用集成的NTC温度传感器、Press-Fit压接技术以及高封装可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™基于第二代碳化硅MOSFET技术开发的顶部散热内绝缘的塑封半桥模块，主要应用于OBC、空调压缩机和工业电源中。
BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™推出可支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列，此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的误开通，还可用于驱动MOSFET、IGBT等功率器件。
为了保持电力电子系统竞争优势，同时也为了使最终用户获得经济效益，一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET绝对成本持续下降，使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。